シリーズ:結晶成長のダイナミクス<br> エピタキシャル成長のメカニズム

シリーズ:結晶成長のダイナミクス
エピタキシャル成長のメカニズム

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  • サイズ A5判/ページ数 210p/高さ 22cm
  • 商品コード 9784320034129
  • NDC分類 549.8
  • Cコード C3342

出版社内容情報

【解説】
本書ではエピタキシャル成長の熱力学、結晶成長のカイネティクス、基板の表面状態とエピタキシャル成長、ヘテロエピタキシャル成長といった、最も基本となる重要なテーマを取り上げて解説する。本文中に出てくる式に対しても、その導出を行いその意味するところを理解できるように述べた。また、専門用語に対してもできるだけ説明を加え、本書のみで読者が理解し、独力で読み進めることが出来るように工夫している。

【目次】
基本概念・エピタキシャル成長の熱力学・結晶成長のカイネティクス・基板の表面状態とエピタキシャル成長・ヘテロエピタキシャル成長・

内容説明

本巻では、エピタキシャル成長の熱力学、結晶成長のカイネティクス、基板の表面状態とエピタキシャル成長、ヘテロエピタキシャル成長といった、エピタキシャル成長にとって最も基本となり重要なテーマを取り上げ解説している。成長方法は、最も基本となる液相エピタキシャル成長、気相エピタキシャル成長、分子線エピタキシャル成長の3方法を取り上げた。

目次

1 基本概念(エピタキシャル成長の基礎;結晶成長に影響を与える因子;成長モード)
2 エピタキシャル成長の熱力学(固液平衡からの成長(LPE)
固気平衡からの成長)
3 結晶成長のカイネティクス(成長表面のカイネティクス;溶液成長における溶質元素の拡散;気相成長の物質輸送効果)
4 基板の表面状態とエピタキシャル成長(面方位とエピタキシャル成長;微傾斜面とエピタキシー;サーファクタントを利用した成長)
5 ヘテロエピタキシャル成長(ヘテロエピタキシャル成長と格子整合;ヘテロ構造の応力・歪み)

著者等紹介

中嶋一雄[ナカジマカズオ]
1975年3月、京都大学大学院工学研究科博士課程学修。1977年3月、京都大学工学博士の学位取得。現在、東北大学金属材料研究所教授、工博
※書籍に掲載されている著者及び編者、訳者、監修者、イラストレーターなどの紹介情報です。

感想・レビュー

※以下の感想・レビューは、株式会社ブックウォーカーの提供する「読書メーター」によるものです。

しょ~や

1
お勉強。相変わらず物覚えが悪い。2017/10/28

椎茸うま子

0
半導体の結晶成長の機構が現象論的に書いてある。実際に結晶成長をする人は、この本の話題ぐらいを知っていると俄然、結晶成長に関する論文が読みやすくなると思います。

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