内容説明
半導体プロセス技術の出発点であるシリコン単結晶成長と、同技術の中心となる不純物ドーピングについて、VLSIデバイスからの要求にそって、最新の技術を解説。単結晶成長およびドーピングはいずれも古い歴史があるが、VLSIのように高集積化すると、従来の技術に変更を加えざるをえない。そこで、本書では結晶・ドーピング技術とデバイスとの関連を明らかにすることに重点を置いて詳述している。
目次
1 結晶とエピタキシ
2 不純物拡散
3 イオン注入
半導体プロセス技術の出発点であるシリコン単結晶成長と、同技術の中心となる不純物ドーピングについて、VLSIデバイスからの要求にそって、最新の技術を解説。単結晶成長およびドーピングはいずれも古い歴史があるが、VLSIのように高集積化すると、従来の技術に変更を加えざるをえない。そこで、本書では結晶・ドーピング技術とデバイスとの関連を明らかにすることに重点を置いて詳述している。
1 結晶とエピタキシ
2 不純物拡散
3 イオン注入
東京都公安委員会 古物商許可番号 304366100901