出版社内容情報
【セールスポイント】
セメスタ対応！ 基礎から実際までを図解を用いてわかりやすく解説
【発刊の目的と内容】
本書は、LSI技術の基礎について、MOSデバイス微細化の意義、基本回路とパターン設計、プロセス技術、LSI設計とCAD技術、先端半導体メモリなどの観点から、わかりやすくまとめた教科書。セメスタ制に対応した構成で、全体の知識の展望を得られるように、基本的なポイントを的確におさえ、工夫された図表をもちいて解説。
【購読対象者】
大学の電気電子、情報通信、システム工学系学部学生および高専生
初級エンジニア
【詳細目次】
1章 集積回路の基礎
1.1 半導体集積回路による情報処理
1.2 半導体とエネルギーギャップ
1.3 n型、p型半導体とフェルミ準位
1.4 ｐん接合とエネルギーバンド
1.5 MOS構造における空乏層の形成
1.6 MOSメモリ
1.7 MOS論理回路
演習問題
2章 MOSデバイスの動作と微細化
2.1 MOSトランジスタの動作特性
2.2 MOSトランジスタの動作のモデルとデバイスシミュレーション
2.3 微細化の目的と設計指針、並びにスケーリング則の視点と現実
2.4 半導体メモリ構造の歴史と将来
演習問題
3章 基本回路とパターン設計
3.1 CMOSインバータ回路
3.2 トランスファーゲート(TG)
3.3 CMOS論理回路例
3.4 メモリ集積回路
3.5 パターン設計
演習問題
4章 LSIプロセス技術
4.1 プロセスインテグレーションとモジュールプロセス
4.2 素子間分離
4.3 基板およびウェルエンジニアリング
4.4 ゲートおよびソース・ドレイン接合形成
4.5 コンタクト形成と多線配線
4.6 バイポーラプロセスとBiCMOSプロセス
演習問題
5章 LSI設計とCAD
5.1 LSI開発とCAD
5.2 機能設計・論理設計
5.3 回路設計
5.4 テスト設計
演習問題
6章 プロセッサの基本構造と動作原理
6.1 コンピュータシステムの概要
6.2 プロセッサの構造と機能
6.3 プロセッサの性能
演習問題
演習問題略解
参考文献
目次
１章 集積回路の基礎
２章 ＭＯＳデバイスの動作と微細化
３章 基本回路とパターン設計
４章 ＬＳＩプロセス技術
５章 ＬＳＩ設計とＣＡＤ
６章 プロセッサの基本構造と動作原理
著者等紹介
広瀬全孝［ヒロセマサタカ］
１９７０年名古屋大学大学院博士課程修了。１９７５年工学博士。現在、産業技術総合研究所次世代半導体研究センター長
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