出版社内容情報
データを更新、キーテクノロジーの理論を追加、メモリデバイス等のテーマを拡充した好評書の改訂版。
内容説明
初版より、すべての章が加筆改訂された改訂2版の翻訳書。MOSFETのスケール長の理論や高電界輸送モデル、SiGeベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属‐シリコンのコンタクト、CMOS回路のノイズマージンおよびRF応用向けの性能指数を含めて基本的なデバイスの物理と回路に関する議論が拡大されている。さらにメモリデバイス、SOIデバイスについて新たに二つの章が追加された。
目次
序章
デバイス物理の基礎
MOSFETデバイス
CMOSデバイス設計
CMOS性能因子
バイポーラデバイス
メモリデバイス
SOIデバイス〔ほか〕
著者等紹介
芝原健太郎[シバハラケンタロウ]
広島大学ナノデバイス・システム研究センター。2011年4月21日逝去
宮本恭幸[ミヤモトヤスユキ]
東京工業大学大学院理工学研究科
内田建[ウチダケン]
慶應義塾大学理工学部(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
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